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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
67
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
30
读取速度,GB/s
6.8
11.8
写入速度,GB/s
3.6
5.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1984
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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