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AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
比较
AMD R538G1601S2LS 8GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
11.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
11.3
12.2
写入速度,GB/s
8.2
7.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1793
1763
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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