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AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

AMD R538G1601S2LS 8GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Puntuación global
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AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

AMD R538G1601S2LS 8GB Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601S2LS 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 28
    En -4% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.3 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1793 left arrow 1763

AMD R538G1601S2LS 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Memoria RAM
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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