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AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Confronto
AMD R538G1601S2LS 8GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601S2LS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601S2LS 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
11.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
11.3
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1793
1763
AMD R538G1601S2LS 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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