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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
56
67
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
56
读取速度,GB/s
6.8
9.3
写入速度,GB/s
3.6
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2200
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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