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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
37
读取速度,GB/s
6.8
14.4
写入速度,GB/s
3.6
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2179
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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