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AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
67
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
34
读取速度,GB/s
6.8
16.7
写入速度,GB/s
3.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2789
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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