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AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
13.7
写入速度,GB/s
5.2
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2128
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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