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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
6.3
18.9
写入速度,GB/s
5.2
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3744
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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