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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
6.3
15.0
写入速度,GB/s
5.2
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3098
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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