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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
16.7
14.7
写入速度,GB/s
10.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2321
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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