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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2685
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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