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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
15.1
写入速度,GB/s
5.2
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2579
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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