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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
6.3
16.7
写入速度,GB/s
5.2
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2933
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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