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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
18.2
写入速度,GB/s
5.2
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3061
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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