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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
15.0
写入速度,GB/s
5.2
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2478
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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