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AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
73
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
39
读取速度,GB/s
6.3
14.6
写入速度,GB/s
5.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2513
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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