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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
6.3
15.9
写入速度,GB/s
5.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2952
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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