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AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
16.5
写入速度,GB/s
5.2
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2969
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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