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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
14.7
16.1
写入速度,GB/s
9.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2479
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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