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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
3,325.1
16.5
写入速度,GB/s
1,441.2
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3194
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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