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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
14.7
18.2
写入速度,GB/s
9.2
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3672
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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