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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
81
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
81
读取速度,GB/s
16.4
8.5
写入速度,GB/s
11.0
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
1651
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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