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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
15.5
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2881
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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