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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
14.7
16.1
写入速度,GB/s
9.2
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3101
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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