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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
63
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
3,139.2
1,813.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
56
63
读取速度,GB/s
4,387.7
4,027.7
写入速度,GB/s
1,813.5
3,139.2
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
739
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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