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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
30
读取速度,GB/s
18.4
18.0
写入速度,GB/s
12.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3334
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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