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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
23
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
23
读取速度,GB/s
18.4
17.9
写入速度,GB/s
12.3
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3356
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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