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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
19
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.1
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
14
读取速度,GB/s
18.4
25.1
写入速度,GB/s
12.3
19.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
4182
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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