RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
28
读取速度,GB/s
18.4
13.7
写入速度,GB/s
12.3
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2312
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link