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AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
24
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
24
读取速度,GB/s
18.4
15.6
写入速度,GB/s
12.3
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2852
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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