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AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
30
读取速度,GB/s
18.4
16.4
写入速度,GB/s
12.3
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3188
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB RAM的比较
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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