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AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.2
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
25
读取速度,GB/s
18.4
20.2
写入速度,GB/s
12.3
18.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
4046
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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