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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.6
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
14.2
22.6
写入速度,GB/s
10.0
16.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3837
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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