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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
44
读取速度,GB/s
14.2
10.6
写入速度,GB/s
10.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2374
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
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