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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
15.9
写入速度,GB/s
2,404.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2240
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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