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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
73
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1638
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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