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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
56
读取速度,GB/s
14.2
9.3
写入速度,GB/s
10.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2200
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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