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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
14.2
16.0
写入速度,GB/s
10.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1897
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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