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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
16.9
写入速度,GB/s
14.9
12.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2601
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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