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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
15.4
17.4
写入速度,GB/s
9.2
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3162
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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