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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
66
左右 30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
66
读取速度,GB/s
14.2
16.5
写入速度,GB/s
13.6
9.0
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
1934
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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