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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
10.1
16.8
写入速度,GB/s
6.2
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3147
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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