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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
37
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
18
读取速度,GB/s
15.4
20.9
写入速度,GB/s
9.2
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3601
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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