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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
15.4
17.6
写入速度,GB/s
9.2
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3542
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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