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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
15.4
17.8
写入速度,GB/s
9.2
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3462
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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