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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
15.4
13.6
写入速度,GB/s
9.2
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3320
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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