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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
46
读取速度,GB/s
10.6
11.0
写入速度,GB/s
7.8
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2481
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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