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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
15.4
19.8
写入速度,GB/s
9.2
16.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3889
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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