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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
15.4
19.8
写入速度,GB/s
9.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3364
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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